- крутизна характеристики полевого транзистора
-
крутизна характеристики полевого транзистора
крутизна характеристики
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
Обозначение
S
gms
[ГОСТ 19095-73]Тематики
- полупроводниковые приборы
Синонимы
- крутизна характеристики
EN
- forward transconductance
DE
- Vorwärtssteilheit
FR
- transconductance directe
Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.
Смотреть что такое "крутизна характеристики полевого транзистора" в других словарях:
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
МОП-структура — (металл оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … … Википедия
18+© Академик, 2000-2024- Обратная связь: Техподдержка, Реклама на сайте
Экспорт словарей на сайты, сделанные на PHP, Joomla, Drupal, WordPress, MODx.